Tuoteryhmät ja tuotteet

IPB80N06S
Transistori N-FET 55V 80A 210W D2PAK

Tekniset tiedot

FET-transistori. Pintaliitos.

Tilauskoodi: IPB80N06S
Polariteetti: N-FET
Jännitekesto: 55 Vdc
Virtakesto: 80 A
Tehonkesto: 210 W
Vastusarvo RDS-on: 6,7 mohm
Kotelo:
 D2PAK
Valmistajan tuotekoodi: IPB80N06S2L07ATMA3
Alkuperämaa:  
Tullikoodi: 85412900


Katso lisätietoja tuotteen sivulta.

Määrä:
Transistori N-FET 55V 80A 210W D2PAK
Hinta
1+ 4,82 EUR
10+ 4,09 EUR
50+ 3,61 EUR

Varastossa (12)
Valmistaja
Infineon Technologies

-Infineon Technologies kotisivu
-Muut tuotteet
Kerro ystävälle
Kerro ystävällesi tuotteesta IPB80N06S - Transistori N-FET 55V 80A 210W D2PAK