Tuoteryhmät ja tuotteet

IXDN75N120
Transistori IGBT 1200V 120A 630W SOT-227B

Tekniset tiedot

IGBT-transistori.
 

Tilauskoodi: IXDN75N120
Polariteetti: N-kanava
Jännitekesto: 1 200 V
Virtakesto: 120 A
Tehonkesto: 630 W
Kotelo: SOT-227B



Katso lisätietoja tuotteen sivulta.

Määrä:
Transistori IGBT 1200V 120A 630W SOT-227B
Hinta
1+ 55,92 EUR
5+ 53,14 EUR
10+ 50,30 EUR

Ei varastossa
Toimitusaika: 1 viikko
Valmistaja
Ixys Co.

-Ixys Co. kotisivu
-Muut tuotteet
Kerro ystävälle
Kerro ystävällesi tuotteesta IXDN75N120 - Transistori IGBT 1200V 120A 630W SOT-227B