Darlington-tehotransistori 100 V 10 A 70 W 20 MHz TO-220 (BDX33C)

BDX33C on NPN-tyyppinen Darlington-tehotransistori, joka on koteloitu monipuoliseen TO-220-muovikoteloon. Se on suunniteltu sovelluksiin, joissa tarvitaan korkeaa vahvistusta ja luotettavaa tehonkestoa kohtuullisessa koossa.

Keskeiset tekniset arvot

• Collector-Emitter-jännite (VCEO): 100 V

• Jatkuva Collector-virta (IC): 10 A

• Tehohäviö: 70 W

• Taajuusvastine (fT): 20 MHz (tyypillinen)

• Kotelointi: TO-220 (läpivientimalli)

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Darlington-edut: Sisäänrakennettu kaksivaiheinen vahvistus tarjoaa erittäin korkean virranvahvistuksen (hFE), minkä ansiosta transistoria on helppo ohjata suoraan pienivirtaisilla signaaleilla.

• Lämmönhallinta: 70 W on merkittävä tehohäviö, joka vaatii riittävän jäähdytyselementin. TO-220-kotelon metallitausta on kytketty Collector-napaan, joten käytä tarvittaessa eristyslevyjä ja holkkeja, jos jäähdytyselementti on kytkettävä potentiaaliin.

• Kynnysjännite: Kuten kaikissa Darlington-transistoreissa, kanta-emitter-jännite (VBE) on korkeampi kuin perinteisissä transistoreissa (yleensä 1,4–2,0 V). Tämä on tärkeää huomioida ohjauspiirin suunnittelussa.

• Sisäänrakennettu diodi: BDX33C sisältää tyypillisesti sisäisen vapaakiertodiodin, mikä suojaa transistoria induktiivisten kuormien aiheuttamilta jännitepiikeiltä.

Tyypilliset käyttökohteet

• Moottoriohjaus: DC-moottoreiden nopea ja tehokas ohjaus.

• Rele- ja solenoidiohjaus: Induktiivisten kuormien kytkentä logiikkapiireillä.

• Tehonhallinta: Yleiskäyttöiset kytkentätehtävät teollisuudessa ja automaatiossa.

• Audiovahvistimet: Pääteasteiden ohjaus tai pienitehoiset vahvistinkytkennät.