Darlington-tehotransistori 100 V 12 A 80 W 20 MHz TO-220 (BDW93C)

BDW93C on NPN-tyyppinen Darlington-transistori, joka on koteloitu yleiseen TO-220-muovikoteloon. Darlington-rakenne tarkoittaa, että kotelon sisällä on kaksi transistoria kytkettynä peräkkäin, mikä tarjoaa erittäin korkean virranvahvistuksen (hFE).

Keskeiset tekniset arvot

• Collector-Emitter-jännite (VCEO): 100 V

• Jatkuva Collector-virta (IC): 12 A

• Tehohäviö: 80 W

• Taajuusvastine (fT): 20 MHz (tyypillinen)

• Kotelointi: TO-220 (läpivientimalli)

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Darlington-edut: Suuren vahvistuksen ansiosta transistoria voidaan ohjata hyvin pienillä virroilla, mikä tekee siitä erinomaisen komponentin suoraan mikrokontrollerin tai logiikkapiirin ohjaukseen.

• Lämmönhallinta: Vaikka 80 W tehohäviö on ilmoitettu maksimiarvona, se vaatii käytännössä erittäin tehokkaan jäähdytyselementin. TO-220-kotelon metallinen takapinta on kytketty Collector-liitäntään, joten käytä eristysliuskaa ja holkkia, jos haluat eristää komponentin jäähdytyselementistä.

• Kynnysjännite: Darlington-rakenteen vuoksi kanta-emitter-jännite (VBE) on korkeampi kuin tavallisessa transistorissa (n. 1,4–2 V), mikä on hyvä huomioida ohjausjännitettä suunnitellessa.

• Integroitu suojadiodi: Näissä komponenteissa on usein sisäänrakennettu vapaakierto- tai suojausdiodi, mikä helpottaa induktiivisten kuormien (kuten releiden tai moottoreiden) ohjausta.

Tyypilliset käyttökohteet

• Moottoriohjaimet: Pienten ja keskisuurten DC-moottoreiden nopeudensäätö.

• Rele- ja solenoidiohjaus: Tehokas kytkentä logiikkapiireillä.

• Audiovahvistimet: Pääteasteiden ohjaus tai pienitehoiset vahvistinkytkennät.

• Tehonhallinta: Yleiset kytkentätehtävät, joissa tarvitaan nopeaa ohjausta ja pientä kantavirtaa.