NPN-Darlington-transistori 120 V 30 A 200 W 4 MHz TO-3 (MJ11016)
MJ11016 on suurtehoinen NPN-Darlington-transistori, joka on suunniteltu erityisesti sovelluksiin, joissa vaaditaan erittäin korkeaa virranvahvistusta ja kykyä ohjata suuria kuormia. Se toimii MJ11015-mallin NPN-vastinparina.
Keskeiset tekniset arvot
Collector-Emitter-jännite (VCEO): 120 V
Collector-virta (IC): 30 A
Tehohäviö: 200 W
Kaistanleveys (fT): 4 MHz
Kotelointi: TO-3
Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa
Darlington-rakenne: Sisäänrakennettu kaskadikytkentä tarjoaa erittäin korkean virranvahvistuksen, mikä mahdollistaa kuorman ohjaamisen suoraan logiikkatason signaaleilla tai pienillä ohjausvirroilla.
Jännitehäviö: Darlington-rakenteen vuoksi komponentin saturaatiojännite (VCE(sat)) on korkeampi kuin tavallisessa NPN-tehotransistorissa. Tämä on huomioitava lämpösuunnittelussa, sillä se kasvattaa häviötehoa suurilla virroilla.
Lämmönhallinta: 200 W on erittäin korkea tehohäviö, joka edellyttää massiivista jäähdytyselementtiä ja laadukasta lämpötahnaa. Koska TO-3-kotelon runko on kytketty Collector-liitäntään, eristeiden käyttö on välttämätöntä, mikäli jäähdytin ei saa olla jännitteellinen.
Tyypilliset käyttökohteet
Lineaariset virtalähteet: Käytetään sarjasäätäjänä teholähteissä, joissa vaaditaan vakaata jännitettä ja suurta virranantokykyä.
Audiovahvistimet: Suuritehoiset pääteasteet, joissa vaaditaan luotettavaa tehonkestoa.
Moottoriohjaimet: Suurten DC-moottoreiden ja teollisten kuormien ohjaus, joissa tarvitaan vankkaa kytkentäkykyä.
