NPN-Darlington-transistori 120 V 8 A 62,5 W TO-220 (BD651)

BD651 on NPN-tyyppinen Darlington-transistori. Darlington-kytkentä muodostuu kahdesta transistoriasteesta samassa kotelossa, mikä tarjoaa erittäin suuren virtavahvistuksen. Tämä mahdollistaa suurten kuormien ohjaamisen hyvin pienellä ohjausvirralla.

Keskeiset tekniset arvot

• Collector-Emitter-jännite (VCE): 120 V

• Jatkuva Collector-virta (IC): 8 A

• Tehohäviö: 62,5 W

• Kotelointi: TO-220

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Jännitehäviö: Darlington-transistorin suurin haaste on korkeampi kyllästysjännite (VCE(sat)) verrattuna tavalliseen bipolaaritransistoriin tai MOSFETiin. Tämä tarkoittaa, että transistori lämpenee enemmän kuormituksessa, koska siihen kuluu enemmän tehoa (P = U * I).

• Lämmönhallinta: 62,5 W tehohäviö on huomattava. Käytä aina asianmukaista jäähdytyselementtiä. Huomioi, että TO-220-kotelon metallitausta on kytketty Collector-liitäntään, joten käytä tarvittaessa sähköistä eristyslevyä.

• Käyttötarkoitus: NPN-Darlingtonina tämä on erinomainen komponentti "Low-Side"-kytkentöihin, joissa kuorma on kytketty käyttöjännitteen ja transistorin kollektorin väliin.

• Nopeus: Darlington-transistorit ovat hitaampia kuin MOSFETit. Ne soveltuvat parhaiten sovelluksiin, joissa ei vaadita erittäin suurta kytkentätaajuutta.

Tyypilliset käyttökohteet

• Releiden ja solenoidien ohjaus: Pieni ohjausvirta mikrokontrollerilta riittää kytkemään suurempia virtoja vaativia komponentteja.

• Moottorinohjaus: Yksinkertaiset ja luotettavat kytkentäpiirit.

• Lineaariset virtalähteet: Käyttö säädettävissä tai vakaissa jännitteenlähteissä.

• Audiovahvistimet: Perinteiset lineaariset vahvistinasteet.