PNP-Darlington-transistori 120 V 30 A 200 W 4 MHz TO-3 (MJ11015)
MJ11015 on korkeavirtainen PNP-Darlington-transistori, joka on suunniteltu raskaisiin tehoelektroniikan sovelluksiin. Darlington-kytkentä tarkoittaa, että komponentin sisällä on kaksi transistoria kaskadikytkennässä, mikä tarjoaa erittäin korkean virranvahvistuksen (hFE).
Keskeiset tekniset arvot
Collector-Emitter-jännite (VCEO): 120 V
Collector-virta (IC): 30 A
Tehohäviö: 200 W
Kaistanleveys (fT): 4 MHz
Kotelointi: TO-3
Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa
Darlington-rakenne: Korkea vahvistus mahdollistaa kuorman ohjaamisen hyvin pienellä ohjausvirralla. Huomioi kuitenkin, että Darlington-transistorin jännitehäviö (VCE(sat)) on suurempi kuin tavallisella transistorilla, mikä kasvattaa tehohäviötä suurilla virroilla.
Lämmönhallinta: 200 W tehohäviö vaatii erittäin tehokkaan jäähdytysratkaisun. TO-3-kotelo on metallia ja vaatii asianmukaiset eristeet ja lämpötahnan asennuksessa.
Käyttöalue: Komponentti on optimoitu kestämään suuria virtoja. Sen matala 4 MHz kaistanleveys rajoittaa käytön pääasiassa matalataajuisiin kytkentöihin ja lineaarisiin vahvistimiin.
Tyypilliset käyttökohteet
Lineaariset virtalähteet: Käytetään usein sarjasäätäjänä tehonlähteissä, joissa tarvitaan tasaista jännitettä ja suurta virranantokykyä.
Audiovahvistimet: Soveltuu suuritehoisten audiovahvistimien pääteasteisiin.
Moottoriohjaimet: Suurten DC-moottoreiden tehoasteet, joissa tarvitaan nopeaa kytkentää pienemmällä ohjausteholla.
