N-kanavainen MOSFET 100 V 0,17 A 0,36 W SOT-23 (BSS123)

BSS123 on pienikokoinen, pinta-asennettava (SMD) N-kanavainen teho-MOSFET. Se on suunniteltu erityisesti matalan virrankulutuksen sovelluksiin, joissa tarvitaan nopeaa kytkentää ja pientä ohjaustehoa.

Keskeiset tekniset arvot

• Drain-Source-jännite (VDS): 100 V

• Jatkuva Drain-virta (ID): 0,17 A

• Tehohäviö: 0,36 W

• Kotelointi: SOT-23

• Kynnysjännite (VGS(th)): Matala (tyypillisesti 0,8 V – 2,5 V)

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Ohjausjännite: MOSFETin kynnysjännite on matala, mikä mahdollistaa transistorin ohjaamisen suoraan tyypillisillä mikro-ohjainten logiikkatasoilla (esim. 3,3 V tai 5 V).

• Kotelointi: SOT-23 on erittäin kompakti, mikä säästää tilaa piirilevyllä. Lämpöhäviöiden hallinta tapahtuu piirilevyn kuparointia hyödyntäen, sillä komponentilla ei ole erillistä jäähdytyslevykiinnitystä.

• Käyttöalue: Tämä komponentti ei sovellu suurten kuormien kytkemiseen 0,17 A virranrajoituksen vuoksi, mutta se on erinomainen signaalitasolla tapahtuvaan kytkentään ja tasonmuunnoksiin.

Tyypilliset käyttökohteet

• Logiikkatason kytkentä: Mikro-ohjainten välinen tiedonsiirto ja tasonmuunnokset.

• Pienitehoiset kuormat: Pienten LEDien, antureiden tai muiden pientä virtaa vaativien komponenttien ohjaus.

• Signaalinkäsittely: Pienivirtaiset analogiset ja digitaaliset kytkentätehtävät.