N-kanavainen teho-MOSFET 200 V 0,6 A 1 W DIP-4 (IRFD210)

IRFD210 on korkeajännitteinen N-kanavainen MOSFET, joka on koteloitu 4-jalkaiseen DIP-koteloon (Hexdip). Tämä kotelomuoto on suunniteltu erityisesti piirilevyille, joissa tilaa on vähän ja komponentin on oltava helposti ladottavissa automaattisilla laitteilla.

Keskeiset tekniset arvot

• Drain-Source-jännite (VDS): 200 V

• Jatkuva Drain-virta (ID): 0,6 A (600 mA)

• Tehohäviö: 1 W

• Kotelointi: DIP-4 (Hexdip)

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Kotelointi: DIP-4-kotelo on suunniteltu käytettäväksi samalla tavalla kuin perinteiset integroidut piirit (IC). Se ei tarjoa laajaa jäähdytyspintaa, joten 1 W tehohäviö on saavutettavissa vain huolellisella lämmönhallinnalla (esim. piirilevyn kuparipinta-alan hyödyntäminen lämmön johtamiseen).

• Korkea jännite: 200 V jännitekesto vaatii huolellisuutta piirilevyn suunnittelussa, erityisesti johtimien välisten etäisyyksien suhteen, jotta vältytään mahdollisilta oikosuluilta tai valokaarilta.

• Hilan ohjaus: MOSFETin hilaan (Gate) syötettävän jännitteen on oltava riittävän korkea, jotta transistori kytkeytyy täysin päälle. Tarkista komponentin datalehdestä "Gate Threshold Voltage" varmistaaksesi, että ohjauspiirisi jännitetaso riittää avaamaan kanavan täysin.

• Suojaus: Koska tämä transistori on tarkoitettu korkeajännitteisiin sovelluksiin, huomioi induktiivisten kuormien aiheuttamat jännitepiikit. Käytä asianmukaisia suojauskomponentteja, kuten vapaakäyntidiodeja tai transienttisuojia.

Tyypilliset käyttökohteet

• Hakkurivirtalähteet: Käyttö pienten DC-DC-muuntimien kytkinelementtinä.

• Logiikkatason rajapinta: Korkeajännitteisten signaalien ohjaus suoraan digitaalisista ohjauspiireistä.

• Rele- ja solenoidiohjaus: Soveltuu korkeamman jännitteen kuormien hallintaan, kun virran tarve on kohtuullinen.

• Teollisuuden ohjauspiirit: Kompakti ratkaisu kytkentöihin, joissa tilaa on rajoitetusti, mutta jännitekestolta vaaditaan enemmän kuin tavallisilta matalajännite-transistoreilta.