N-kanavainen teho-MOSFET 500V 45A 625W TO-247 (FDH45N50F)

Erittäin suorituskykyinen ja kestävä N-kanavainen teho-MOSFET (UniFET™ II), joka on suunniteltu vaativiin hakkurivirtalähteisiin, moottorinohjaukseen ja uusiutuvan energian järjestelmiin, joissa vaaditaan suurta jännitekestoa ja erinomaista hyötysuhdetta.

FDH45N50F (valmistaja ON Semiconductor / Fairchild) on suunniteltu teollisuusluokan tehoelektroniikkaan, jossa laitteen on kestettävä jatkuvaa suurta kuormitusta ja jännitepiikkejä. Komponentin 500 voltin estojännite ja 45 ampeerin jatkuva virrankesto tekevät siitä ensisijaisen valinnan esimerkiksi suuritehoisiin AC/DC-muuntimiin, aurinkopaneeli-inverttereihin ja vaativiin UPS-järjestelmiin. Piiri on pakattu suurikokoiseen, erinomaisesti lämpöä johtavaan TO-247-koteloon, joka mahdollistaa komponentin tehokkaan jäähdytyksen jopa 625 watin tehohäviöllä (oikein jäähdytettynä).

Tämä MOSFET hyödyntää edistyksellistä UniFET™ II -teknologiaa, joka minimoi komponentin sisäisen vastuksen (RDS(on)) ja kytkentähäviöt. Tämän ansiosta laitteen lämpeneminen on vähäisempää ja hyötysuhde korkeampi verrattuna vanhemman sukupolven tehotransistoreihin. FDH45N50F sisältää myös integroidun nopean palautumisen diodin (Fast Recovery Body Diode), mikä tekee siitä erinomaisen valinnan sellaisiin kytkentöihin, joissa MOSFETin sisäisen diodin täytyy toimia luotettavasti nopeassa virrankäännössä (esim. ZVS- tai silta-kytkennät).

Tärkeimmät ominaisuudet:

• Massiivinen tehonkesto: Jopa 625W tehohäviön sieto TO-247-kotelossa mahdollistaa erittäin suuritehoiset sovellukset.

• Korkea jännite- ja virrankesto: 500V (VDSS) ja 45A (ID) takaavat riittävän marginaalin teollisuuden 230V tai 400V sovelluksiin.

• Pieni RDS(on): Minimaalinen resistanssi kytkettäessä vähentää lämpöhäviöitä ja parantaa koko laitteen energiatehokkuutta.

• Integroitu nopea suojadiodi: Optimoitu toimimaan luotettavasti vaativissa hakkuripiireissä ja silloisissa kytkennöissä.

• TO-247 -kotelointi: Teollisuusstandardin mukainen kotelo, joka mahdollistaa helpon kiinnityksen jäähdytyselementtiin ja takaa pitkän käyttöiän.

Tekniset tiedot:

• Tilauskoodi / Tuotekoodi: FDH45N50F (UniFET™ II -sarja)

• Transistorityyppi: N-kanavainen teho-MOSFET

• Kotelotyyppi: TO-247 (3-pin, THT läpiasennus, jäähdytyslevyllinen)

• Suurin sallittu jännite (VDSS): 500 V

• Suurin sallittu jatkuva virta (ID): 45 A

• Suurin sallittu tehohäviö (PD): 625 W

• RDS(on): Tyypillisesti n. 0,11 Ohm

• Toimintalämpötila-alue: -55 °C ... +150 °C

• Valmistaja: ON Semiconductor / Fairchild

Tyypilliset käyttökohteet:

• Suuritehoiset hakkurivirtalähteet (SMPS) ja palvelimien tehonsyöttöyksiköt

• Aurinkopaneelien invertterit, taajuusmuuttajat ja DC/DC-muuntimet

• Teollisuuden moottorinohjaus, hitsauskoneet ja suuritehoiset AC-ohjaukset

• UPS-järjestelmät ja varavirta-automaatio

• Elektroniikkahuollot, kunnossapito, vaativien tehoelektroniikkakomponenttien korvaaminen alkuperäisosalla

Vinkki asennukseen ja suunnitteluun: FDH45N50F on suurtehokomponentti, joka vaatii riittävän jäähdytyksen. Asennettaessa komponentti jäähdytyslevyyn on aina käytettävä lämpöä johtavaa tahnaa tai eristelevyä varmistamaan optimaalinen lämmönsiirto. Koska MOSFETin metallinen taustalevy on sisäisesti kytketty kollektoriin (Drain), käytä sähköisesti eristävää lämpötyynyä, mikäli jäähdytyslevyn on oltava eristetty muusta maadoituksesta. Juotettaessa varmista, että piirilevyn kuparijohtimet ovat riittävän paksuja kestämään 45 ampeerin jatkuvaa virtaa – suosittelemme käyttämään lisävahvistusta tai paksua juotospintaa nastojen 1 (Gate), 2 (Drain) ja 3 (Source) välillä.