N-kanavainen teho-MOSFET 55 V 17 A 45 W TO-220 (IRFZ24N)

IRFZ24N on suosittu teho-MOSFET, joka on suunniteltu erityisesti nopeaan kytkentään ja suurten virtojen ohjaamiseen teollisuuden ja harrastelijoiden tehoelektroniikassa. Sen rakenne tekee siitä luotettavan valinnan sovelluksiin, joissa tarvitaan hyvää kytkentänopeutta ja alhaista lämpöhäviötä.

Keskeiset tekniset arvot

• Drain-Source-jännite (VDS): 55 V

• Jatkuva Drain-virta (ID): 17 A (kotelon rajoittama)

• Tehohäviö: 45 W

• Kotelointi: TO-220

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• RDS(on): Alhaisen kytkentävastuksen ansiosta transistori kehittää vähemmän lämpöä suurellakin virralla, mikä parantaa hyötysuhdetta.

• Lämmönhallinta: 45 W tehohäviö on merkittävä määrä lämpöä. TO-220-kotelon metallikieleke on yhteydessä Drain-liitäntään. Käytä asianmukaista jäähdytyselementtiä ja tarvittaessa sähköeristystä (esim. kiille- tai silikonieristettä), jos jäähdytin ei saa olla jännitteellinen.

• Hilaohjaus: IRFZ24N:n täysi potentiaali saavutetaan parhaiten noin 10 V hilajännitteellä. Vaikka se toimii jo matalammilla jännitteillä, RDS(on)-arvo nousee, jos hilalle syötetään liian pieni jännite, mikä johtaa lisääntyneeseen lämpenemiseen.

Tyypilliset käyttökohteet

• DC-moottoriohjaimet: Tehokas komponentti PWM-ohjatuissa moottorisovelluksissa.

• Hakkurivirtalähteet: Käyttö kytkinelementtinä DC-DC-muuntimissa.

• Autoelektroniikka: Soveltuu hyvin 12 V tai 24 V järjestelmiin, kuten valojen tai muiden kuormien kytkentään.

• Solenoidit ja releet: Induktiivisten kuormien nopea kytkentä, jossa tarvitaan luotettavuutta.