N-kanavainen MOSFET-transistori 60V 0.2A TO-92 (2N7000)
2N7000 on yksi maailman käytetyimmistä N-kanavaisista MOSFET-transistoreista. Se on suunniteltu erityisesti pienitehoisiin kytkentäsovelluksiin, joissa tarvitaan nopeaa toimintaa, suurta tuloimpedanssia ja yhteensopivuutta suoraan mikrokontrollerien logiikkatasoihin.
2N7000 (valmistaja Fairchild / ON Semiconductor / vastaava) on suosittu valinta digitaalisiin ohjauspiireihin, joissa mikrokontrollerin (kuten Arduino tai Raspberry Pi) matala ohjausjännite halutaan muuttaa suuremmaksi kytkentäjännitteeksi. Sen TO-92-kotelointi tekee siitä erittäin kompaktin ja helpon lisätä mihin tahansa prototyyppiin tai piirilevyyn.
Toisin kuin perinteiset bipolaaritransistorit, 2N7000 on jänniteohjattu. Tämä tarkoittaa, että se ei vaadi jatkuvaa virtaa portille (Gate) pysyäkseen päällä, mikä säästää energiaa ja yksinkertaistaa kytkentöjä. Se on erinomainen valinta esimerkiksi LEDien, pienten releiden tai muiden pienten kuormien kytkemiseen.
Tärkeimmät ominaisuudet:
Logiikkatason ohjaus: Kytkeytyy matalalla kynnysjännitteellä, toimii suoraan digitaalisten piirien kanssa.
Erittäin nopea kytkentä: Soveltuu nopeisiin digitaalisiin signaaleihin ja PWM-ohjaukseen.
Korkea tuloimpedanssi: Ei kuormita ohjaavaa piiriä juuri lainkaan.
Standardi TO-92-kotelo: Pieni ja kätevä asentaa, vie vähän tilaa.
Luotettavuus: Kestävä ja edullinen komponentti, joka on teollisuusstandardi.
Tekniset tiedot:
Tilauskoodi / Tuotekoodi: 2N7000
Transistorityyppi: N-kanavainen MOSFET (Enhancement Mode)
Kotelotyyppi: TO-92 (3-pin, THT läpiasennus)
Suurin sallittu jännite (VDS): 60 V
Suurin jatkuva virta (ID): 0.2 A (200 mA)
Suurin tehohäviö (PD): 0.4 W
Valmistaja: Useita (esim. ON Semiconductor)
Tyypilliset käyttökohteet:
Mikrokontrollerien I/O-pinnien vahvistaminen
LED-valojen ja merkkivalojen kytkentä
Pienten releiden ja solenoidien ohjaus
Signaalin tasonmuunnos eri jännitetasojen välillä
Elektroniikkahuollot, opetusprojektit ja sulautetut järjestelmät
Vinkki asennukseen ja suunnitteluun: 2N7000 on herkkä staattiselle sähkölle, joten käsittele sitä varoen. Kytkennässä Gate-nastan ja maadoituksen (Source) välille on hyvä lisätä 10 kΩ "pull-down"-vastus, joka varmistaa, että transistori pysyy varmasti pois päältä, jos ohjaava pinni on tilassa, jossa se ei ole kytketty mihinkään (esim. käynnistyksen aikana). Koska virrankesto on 200 mA, varmista, että kuorma ei ylitä tätä arvoa, sillä transistori vaurioituu helposti ylivirrasta.
