N-kanavainen MOSFET 60 V 0,5 A 0,83 W TO-92 (BS170)

BS170 on yksi elektroniikkaharrastajien ja prototyyppien rakentajien suosituimmista N-kanavaisista MOSFETeista. Se on suunniteltu erityisesti pienten virtojen kytkentään, ja se toimii erinomaisesti suoraan mikrokontrollerien logiikkatasoilla.

Keskeiset tekniset arvot

• Drain-Source-jännite (VDS): 60 V

• Jatkuva Drain-virta (ID): 0,5 A (500 mA)

• Tehohäviö: 0,83 W

• Kynnysjännite (VGS(th)): Tyypillisesti 0,8 V – 3,0 V

• Kotelointi: TO-92

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Logiikkaohjaus: BS170 kytkeytyy tyypillisesti päälle jo 2,5 V – 5 V hilajännitteellä, minkä vuoksi se on erittäin helppo ohjata suoraan esimerkiksi Arduinon tai muiden 3,3 V / 5 V mikrokontrollerien GPIO-pinneistä ilman erillisiä ajuripiirejä.

• Virrankesto: Vaikka 500 mA on komponentin maksimiarvo, käytännön kytkennöissä kannattaa pysyä selvästi tämän alapuolella, jotta vältetään ylikuumeneminen.

• Kotelointi: TO-92-kotelo on pieni, eikä siinä ole erillistä metallista jäähdytyspinta-alaa. 0,83 W tehohäviö on teoreettinen maksimi optimaalisissa olosuhteissa, joten käytännön sovelluksissa komponentti kuumenee nopeasti, jos sitä kuormitetaan lähelle raja-arvoja.

• Staattinen sähkö (ESD): Kuten monet muutkin MOSFETit, BS170:n hila (gate) on herkkä staattiselle sähkölle. Käsittele komponenttia varoen ennen juottamista.

Tyypilliset käyttökohteet

• Digitaalinen kytkentä: Mikrokontrolleriohjattu pienten kuormien kytkentä.

• LED-ohjaus: Yksittäisten LEDien tai pienten LED-ketjujen kirkkauden säätö PWM-signaalilla.

• Tasonmuunnokset: Digitaalisten signaalien tason sovittaminen eri jännitteiden välillä.

• Releiden ohjaus: Pienten releiden kytkeminen, kun muistetaan käyttää suojausdiodia induktiivisen kuorman rinnalla.