N-kanavainen teho-MOSFET 60V 2.5A 1.3W HVMDIP (IRFD024)

Kompakti ja tehokas N-kanavainen teho-MOSFET, joka on suunniteltu erityisesti sovelluksiin, joissa tarvitaan nopeaa kytkentää ja luotettavuutta pienessä koossa. Tämä komponentti on erinomainen valinta ohjauspiireihin, joissa tila on kortilla.

IRFD024 (valmistaja Vishay / International Rectifier) kuuluu suosittuun HEXFET®-tuoteperheeseen. Sen 4-nastainen HVMDIP-kotelointi on suunniteltu läpiasennettavaksi, mutta se säästää huomattavasti tilaa perinteisiin TO-220-koteloihin verrattuna. Se tarjoaa erinomaisen suorituskyvyn 60 voltin jännitteellä ja 2,5 ampeerin virralla, mikä tekee siitä ihanteellisen komponentin muun muassa logiikkapiirien ohjaamiin tehoasteisiin, releiden kytkentään tai pieniin moottorinohjaimiin.

IRFD024:n keskeinen etu on sen alhainen hila-varaus (gate charge), mikä mahdollistaa nopean kytkeytymisen pienellä ohjausvirralla. Tämä tekee siitä erittäin yhteensopivan mikrokontrollerien ja muiden matalajännitteisten ohjauspiirien kanssa.

Tärkeimmät ominaisuudet:

• Kompakti HVMDIP-kotelo: Erittäin pieni fyysinen koko mahdollistaa tiheän piirilevyrakenteen.

• N-kanavainen rakenne: Optimoitu kytkemään kuorma maata vasten (Low-Side-kytkentä).

• Tehokas suorituskyky: 60 V jännitekesto ja 2,5 A virrankesto mahdollistavat laajat käyttömahdollisuudet.

• HEXFET-teknologia: Erinomainen kytkentänopeus ja pienet häviöt, mikä vähentää komponentin lämpenemistä.

• Helppo asennus: Standardi DIL-tyyppinen kanta helpottaa prototyyppien rakentamista ja huoltotöitä.

Tekniset tiedot:

• Tilauskoodi / Tuotekoodi: IRFD024

• Transistorityyppi: N-kanavainen teho-MOSFET

• Kotelotyyppi: HVMDIP (4-pin, DIL-tyyppinen läpiasennus)

• Suurin sallittu jännite (VDS): 60 V

• Suurin jatkuva virta (ID): 2.5 A

• Suurin tehohäviö (PD): 1.3 W

• Valmistaja: Vishay / International Rectifier

Tyypilliset käyttökohteet:

• Low-Side-kytkimet mikrokontrolleriohjatuissa piireissä

• Pienet DC-moottorit ja askelmoottorin ohjauspiirit

• Releiden ja solenoidien kytkentä

• Signaalin vahvistus ja logiikkatason muunnos

• Elektroniikkahuollot, vintage-laitteiden kunnossapito ja kompaktit sulautetut järjestelmät

Vinkki asennukseen ja suunnitteluun: N-kanavaista MOSFETia ohjattaessa (Gate) transistori kytkeytyy päälle, kun Gaten jännite nousee korkeammaksi kuin Sourcen jännite (yleensä yli 3–4 V). Käytä ohjauspiirissä ylhäältä alaspäin vievää (pull-down) vastusta (esim. 10 kΩ) Gaten ja maadoituksen (Source) välillä varmistaaksesi, että transistori pysyy varmasti pois päältä häiriötilanteissa. Koska komponentti käyttää piirilevyn kuparipintoja lämmön hajauttamiseen, suosittelemme lisäämään kuparipinta-alaa erityisesti Drain-nastojen ympärille, mikäli käytät transistoria lähellä sen maksimivirtaa.