Tässä on tuotekuvaus BUZ307-tehotransistorille täysin puhtaassa, suoraan verkkokauppaan kopioitavassa tekstimuodossa ilman koodimerkintöjä tai dollarinmerkkejä.

Tehotransistori N-FET 800V 3A 75W TO-218, Siemens (BUZ307)

Suuren jännitteenkeston N-kanavainen SIPMOS-tehofet-transistori teholähteiden ja korkeajännitteisten kytkinpiirien luotettavaan ohjaukseen.

BUZ307 (valmistaja Siemens / Infineon) on teollisuusluokan N-kanavainen FET-tehotransistori (N-channel enhancement mode power MOSFET), joka tarjoaa poikkeuksellisen korkean 800 voltin sulkujännitteen. Transistori on suunniteltu jatkuvalle 3 ampeerin virralle, ja sen suurin sallittu tehohäviö riittävällä jäähdytyksellä on 75 wattia. Komponentti perustuu Siemensin kehittämään luotettavaan SIPMOS-teknologiaan, joka takaa tarkan kytkentäkäyttäytymisen ja erinomaisen lämpöstabiiliuden.

Korkean jännitteenkestonsa ansiosta BUZ307 sopii täydellisesti hakkurivirtalähteiden (SMPS) ensiöpuolen kytkinkomponentiksi, jännitemuuntimiin sekä teollisuuden ohjauspiireihin, joissa esiintyy suuria induktiivisia jännitepiikkejä. Matala rinnakkaisvastus johtavassa tilassa (RDS(on)) minimoi tehohäviöt ja vähentää komponentin omaa kuumenemista kytkentäkäytössä. Transistori on pakattu järeään, metallitaustaiseen TO-218 (vastaa usein TO-247-kokoluokkaa) muovikoteloon, joka mahdollistaa erinomaisen lämmönsiirron jäähdytysprofiiliin tai laitteen runkoon.

Tärkeimmät ominaisuudet:

• Erittäin korkea 800V jännitteenkesto: Tarjoaa laajan turvamarginaalin verkkolaitteissa, jännitenostimissa ja induktiivisten kuormien (kuten muuntajien ja moottorien) ohjauksessa.

• SIPMOS-teknologia: Varmistaa pienen hilaohjaustehon, suuren kytkentänopeuden ja hyvän suorituskyvyn vaativissa teollisuussovelluksissa.

• Jämäkkä TO-218-kotelointi: Suurikokoinen asennuspinta ja metallinen taustalevy takaavat tehokkaan lämmönjohtavuuden jäähdytyslevyyn suuria tehoja käsiteltäessä.

• Helppo ohjattavuus: Jänniteohjattavana FET-transistorina se on suoraan ohjattavissa sopivilla ohjainpiireillä (Gate Drivers) tai logiikkarakenteilla.

Tekniset tiedot:

• Tilauskoodi / Tuotekoodi: BUZ307

• Transistorin tyyppi: MOSFET, N-kanava (N-Channel)

• Teknologia: SIPMOS (Enhancement mode)

• Suurin sulkujännite (Vds): 800 V

• Suurin jatkuva virta (Id): 3 A (lämpötilassa 25 °C)

• Suurin tehonkulutus/hajotus (Ptot): 75 W

• Kotelotyyppi: TO-218 (muovikotelo metalliselällä)

• Asennustapa: Läpiasennus (THT) ruuvikiinnityksellä jäähdytyslevyyn

• Valmistaja: Siemens / Infineon

Tyypilliset käyttökohteet:

• Hakkurivirtalähteiden (SMPS) ja AC/DC-teholähteiden ensiöpuolen kytkimet

• Teollisuuden DC/DC-muuntimet, invertterit ja jännitteenvakaajat

• Korkeajännitteiset releohjaukset, magneettiventtiilien ohjauspiirit ja sytytysjärjestelmät

• Moottorinohjausyksiköt ja PWM-tehonsäätimet korkeammilla käyttöjännitteillä

• Elektroniikkahuollot, kunnossapito ja vanhempien Siemens/Infineon-tehotransistorien korvaaminen alkuperäisellä varaosalla

Vinkki asennukseen: Koska kyseessä on 75 watin tehoihin kykenevä komponentti, se vaatii aina sovelluksesta riippuen kunnollisen jäähdytyslevyn. Käytä asennuksessa lämpöä johtavaa silikonitahnaa (piitahnaa) ja tarvittaessa kiille- tai silikonieristelevyä ruuvieristeineen (eristysholkki), mikäli transistorin metallinen taustalevy (joka on usein yhteydessä nieluun eli Drain-nastaan) täytyy eristää sähköisesti jäähdytysprofiilista.