NPN-tehotransistori 100 V 30 A 200 W 2 MHz TO-3 (MJ802)

MJ802 on erittäin vankka NPN-tehotransistori, joka on suunniteltu vaativiin käyttöolosuhteisiin, joissa tarvitaan korkeaa jännitekestoa ja suurta virranantokykyä. Se on perinteinen valinta kestävyyttä vaativiin lineaarisiin ja kytkentäsovelluksiin.

Keskeiset tekniset arvot

• Collector-Emitter-jännite (VCEO): 100 V

• Jatkuva Collector-virta (IC): 30 A

• Tehohäviö: 200 W

• Kaistanleveys (fT): 2 MHz

• Kotelointi: TO-3

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Lämmönhallinta: 200 W tehohäviö on erittäin merkittävä. Tämä komponentti vaatii massiivisen jäähdytyslevyn ja asianmukaisen kiinnityksen, jotta lämpötila pysyy turvallisissa rajoissa. TO-3-kotelo on metallinen ja erittäin kestävä, mutta se vaatii aina sähköeristyksen jäähdytyselementistä, sillä Collector-liitäntä on kytketty suoraan kotelon runkoon.

• Kytkentänopeus: 2 MHz kaistanleveys on suunniteltu pääasiassa matalataajuiseen tai lineaariseen käyttöön. Se ei sovellu nopeaan hakkurikäyttöön, mutta on erinomainen stabiiliutta vaativissa tehoasteissa.

• Kestävyys: MJ802 tunnetaan "SOA" (Safe Operating Area) -ominaisuuksistaan, mikä tarkoittaa, että se sietää hyvin kuormitusmuutoksia ja on luotettava valinta teollisiin virtalähteisiin ja vahvistimiin.

Tyypilliset käyttökohteet

• Lineaariset virtalähteet: Käytetään sarjasäätäjänä teholähteissä, joissa vaaditaan suurta virtaa ja erinomaista luotettavuutta.

• Audiovahvistimet: Suuritehoisten pääteasteiden vahvistinkomponentti.

• Teolliset ohjauspiirit: Suurten DC-kuormien ja magneettisten komponenttien luotettava kytkentä.

• Laboratorio-virtalähteet: Soveltuu komponentiksi piireihin, joissa jännitettä ja virtaa säädetään portaattomasti.