Tehotransistori NPN 1500/700 V 6 A 44 W ISOWATT218 (BUH315D)
BUH315D on erittäin korkean jännitteen NPN-tehotransistori, joka on varustettu sisäänrakennetulla vapaakiertodiodilla (damper diode). Se on suunniteltu nimenomaan CRT-televisioiden ja monitorien vaakasuuntaisiin poikkeutusasteisiin, joissa komponentin on kestettävä erittäin suuria jännitepiikkejä.
ISOWATT218-kotelointi on eristetty versio perinteisestä TO-218 (tai TO-3P) -kotelosta, mikä tarkoittaa, että komponentin takalevy on sähköisesti eristetty. Tämä helpottaa asennusta jäähdytyselementtiin, sillä erillisiä eristyslevyjä ei tarvita.
Tärkeimmät ominaisuudet:
Tyyppi: NPN-tehotransistori integroidulla vapaakiertodiodilla (Damper Diode).
Äärimmäinen jännitekesto: Kollektori-emitterijännite (Vceo) on 700 V, ja maksimijännite (Vcbo) jopa 1500 V.
Kytkentäkyky: Maksimi jatkuva kollektorivirta (Ic) on 6 A.
Tehonkesto: Maksimi tehohäviö (Pd) on 44 W.
Kotelointi: ISOWATT218 (valmiiksi eristetty, läpiasennus).
Tekniset tiedot:
Tyypilliset käyttökohteet:
Poikkeutusasteet: CRT-näyttöjen ja televisioiden vaakaulostulo (Horizontal Output).
Induktiiviset kuormat: Sovellukset, joissa tarvitaan nopeaa kytkentää ja korkeaa jännitteensietokykyä.
Sähköinen suojaus: Sisäänrakennettu diodi auttaa suojaamaan transistoria induktiivisilta jännitepiikeiltä kytkentähetkellä.
Vinkki asennukseen ja suunnitteluun: Huomioi korkea jännite: Koska kyseessä on jopa 1500 voltin jännitteille suunniteltu komponentti, noudata äärimmäistä varovaisuutta. Varmista, että piirilevyn erotusvälit (clearance) ovat riittävän suuret välttämään läpilyönnit. Vaikka ISOWATT218 on eristetty, käytä silti lämpötahnaa parhaan lämmönsiirron varmistamiseksi jäähdytyselementtiin. Tämä transistori on tarkoitettu kriittisiin, korkeataajuisiin sovelluksiin, joten se vaatii toimiakseen tarkan ohjauksen (base drive), jotta se kytkeytyy ja katkeaa riittävän nopeasti.
