NPN-tehotransistori 1500/700 V 8 A 45 W ISOWATT-218 (BU2508DF)

BU2508DF on korkeajännitteinen NPN-tehotransistori, joka on suunniteltu erityisesti vaativiin kytkentäsovelluksiin. Tämä malli sisältää integroidun vapaakierto- eli paluudiodin (damper diode), mikä tekee siitä optimaalisen komponentin induktiivisten kuormien ohjaukseen.

Keskeiset tekniset arvot

• Collector-Emitter-jännite (VCEO): 700 V (VCES: 1500 V)

• Collector-virta (IC): 8 A

• Tehohäviö: 45 W

• Kotelointi: ISOWATT-218 (täysin eristetty)

• Lisäominaisuudet: Integroitu suojadiodi (damper)

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Integroitu diodi: Komponentin sisäänrakennettu diodi suojaa transistoria induktiivisilta jännitepiikeiltä (back-EMF), kun kytkentä katkaistaan. Tämä säästää tilaa ja komponentteja piirilevyllä.

• Eristetty kotelointi: ISOWATT-218-kotelointi on valmiiksi eristetty, mikä helpottaa asentamista suoraan jäähdytyselementtiin ilman erillisiä eristysliuskoja.

• Lämmönhallinta: 45 W tehohäviö edellyttää huolellista lämpösuunnittelua ja riittävän kokoista jäähdytyselementtiä laitteen luotettavuuden varmistamiseksi.

Tyypilliset käyttökohteet

• Hakkurivirtalähteet (SMPS): Korkeajännitteiset hakkuripiirit, joissa tarvitaan nopeaa kytkentää.

• CRT-monitorit ja TV-laitteet: Vaakasuuntaiset deflektioasteet, joissa integroitu diodi on kriittinen osa toimintaa.

• Induktiiviset kytkennät: Teollisuuden magneettiventtiilien, kelojen tai muiden vastaavien komponenttien ohjaus korkealla jännitteellä.