RF-transistori NPN 25V 25mA 2.4GHz SOT-37 (BFW92)

Korkeataajuuksinen ja poikkeuksellisen pienen kohinakertoimen tarjoava NPN-piitransistori, joka on optimoitu laajakaistaisiin antennivahvistimiin, radiolaitteisiin ja mikroaaltosovelluksiin aina gigahertsialueelle saakka.

BFW92 (valmistaja NXP / Philips / Siemens) on ammattitason optoelektroniikassa, tietoliikennetekniikassa ja radioteknisissä laitteissa laajasti käytetty korkeataajuustransistori (RF / Microwave NPN Transistor). Tämä erikoiskomponentti on suunniteltu kohteisiin, joissa vaaditaan erittäin korkeaa rajataajuutta, pientä kytkentäkapasiteettia sekä minimaalista kohinaa heikkojen signaalien vahvistuksessa. Transistorin rajataajuus (Transition Frequency) on poikkeuksellisen korkea 2,4 GHz, mikä mahdollistaa sen tehokkaan toiminnan UHF- ja mikroaaltotaajuuksilla. Komponentti on pakattu perinteiseen nelinastaiseen SOT-37 (tunnetaan myös nimellä macro-X tai SOT-37A) muovikoteloon, jossa on litteät, nauhamaiset kytkentäjohtimet (stripline) optimaalisen RF-suorituskyvyn saavuttamiseksi.

BFW92-transistorin suurin tekninen etu on sen erinomainen lineaarisuus ja erittäin pieni kohinakerroin (tyypillisesti vain 4 dB 500 MHz taajuudella), minkä ansiosta se kykenee vahvistamaan erittäin heikkoja radiosignaaleja ilman, että signaaliin sekoittuu kohinaa tai häiriöitä. Nelinastaisen kotelon ansiosta transistorissa on kaksi erillistä emitteriliitäntää. Tämä mahdollistaa emitterin maadoittamisen erittäin matalalla induktanssilla suoraan piirilevyn maatasoon, mikä parantaa vahvistuksen vakautta korkeilla taajuuksilla ja estää piirin herkkää värähtelyä (itsestään värähtelyä). Komponentti toimii max. 25 voltin jännitteellä ja soveltuu loistavasti pientehovaiheisiin, joissa tarvitaan luotettavaa ja tarkkaa analogista signaalinkäsittelyä.

Tärkeimmät ominaisuudet:

• Erittäin korkea rajataajuus (2,4 GHz): Soveltuu laajakaistaiseen vahvistukseen ja signaalinkäsittelyyn VHF-, UHF- ja mikroaaltoalueilla.

• Minimaalinen kohinakerroin (Low Noise): Takaa puhtaan signaalinvahvistuksen herkkien vastaanottimien ensiöasteissa ja antennivahvistimissa.

• Kaksi emitterinastaa (Dual Emitter): Vähentää sisäistä loisiinduktanssia ja parantaa transistorin vakautta korkeilla taajuuksilla merkittävästi.

• Stripline-tyyppinen SOT-37-kotelointi: Litteät nastat on optimoitu pintajuotokseen tai läpiasennukseen korkeataajuuspiirilevyille, minimoiden liitoskapasitanssit.

• Erinomainen lineaarisuus: Vähentää ristiinmodulaatiota ja signaalin vääristymistä monisignaalijärjestelmissä.

Tekniset tiedot:

• Tilauskoodi / Tuotekoodi: BFW92 (Yhteensopiva monien muiden UHF/korkeataajuustransistoreiden kanssa)

• Transistorityyppi / Polariteetti: NPN-piitransistori (Silicon Planar Epitaxial Transistor)

• Kotelotyyppi: SOT-37 / Macro-X (4-pin RF-erikoiskotelo, THT/SMD hybridiasennus)

• Rajataajuus (fT): 2,4 GHz (2400 MHz)

• Suurin sallittu kollektori-emitterijännite (VCEO): 15 V DC (korkein transienttikesto VCES jopa 25 V)

• Suurin sallittu jatkuva kollektorivirta (IC): 25 mA

• Suurin sallittu kokonaistehohäviö (Ptot): 0,3 W (300 mW)

• Kohinakerroin (G = 14dB kohdalla): Tyypillisesti 4,0 dB (f = 500 MHz)

• Käyttölämpötila-alue: -65 °C ... +150 °C (laaja teollisuus- ja tutkimusluokan kesto)

• Valmistaja: NXP / Philips / Siemens (valmistaja voi vaihdella erän mukaan)

Tyypilliset käyttökohteet:

• Yhteisantenni- ja MATV/CATV-järjestelmien laajakaistaiset antennivahvistimet ja linjavahvistimet

• Radiopuhelinten, radiovastaanottimien ja langattomien linkkien herkkien etuasteiden (RF Pre-amplifiers) vahvistimet

• Korkeataajuuksisten oskillaattoreiden, sekoittimien (Mixers) ja pientehoisten lähetinasteiden rakentaminen

• Mittalaitteet, oskilloskooppien tulovahvistimet, signaaligeneraattorit ja laboratoriotasoiset radiotaajuuskytkennät

• Elektroniikkahuollot, kunnossapito, vanhempien RF-korttien ja virittimien korjaustyöt sekä vioittuneiden BFW92-sarjan transistorien korvaaminen alkuperäisosalla

Vinkki asennukseen ja suunnitteluun: BFW92-transistorin nastajärjestys SOT-37-kotelossa vaatii tarkkuutta RF-piirilevyä suunniteltaessa. Kun katsot komponenttia ylhäältä päin siten, että kotelon viistetty nasta osoittaa yläoikealle, nastat kiertävät seuraavasti: Viistetty nasta on KOLLEKTORI (C), sitä vastapäätä oleva nasta on BANSI (B), ja kaksi muuta sivuttaista nastaa ovat EMITTEREITÄ (E). Molemmat emitterinastat tulee kytkeä mahdollisimman lyhyillä ja leveillä radoilla suoraan piirilevyn yhtenäiseen maatasoon (GND). Korkeiden taajuuksien vuoksi pitkiä johdinlankoja on ehdottomasti vältettävä, sillä jo muutaman millimetrin mittainen irrallinen johdin toimii kelana ja voi saada transistorin värähtelemään hallitsemattomasti.