NPN-tehotransistori 60 V 10 A 90 W 4 MHz TO-220 (MJE3055T)

MJE3055T on NPN-tyyppinen tehotransistori, joka on modernimpi versio klassisesta 2N3055-transistorista TO-220-kotelossa. Se on suunniteltu tehonkäsittelyyn ja se on luotettava komponentti tehoelektroniikan peruskytkennöissä.

Keskeiset tekniset arvot

• Collector-Emitter-jännite (VCEO): 60 V

• Jatkuva Collector-virta (IC): 10 A

• Tehohäviö: 90 W

• Taajuusvastine (fT): 4 MHz

• Kotelointi: TO-220

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Lämmönhallinta: 90 W tehohäviö on erittäin suuri määrä lämpöä TO-220-kotelolle. Komponentti vaatii tehokkaan jäähdytyselementin ja asianmukaisen asennuksen piitahnalla. Metallitausta on kytketty Collector-liitäntään, joten sähköinen eristys on välttämätön, jos jäähdytyselementti on kiinnitetty runkoon tai muihin komponentteihin.

• Kytkentätaajuus: 4 MHz taajuusvaste riittää useimpiin audiovahvistin- ja virtalähdesovelluksiin, mutta se ei sovellu suurtaajuiseen hakkurikäyttöön.

• Ohjaus: NPN-bipolaaritransistorina se vaatii riittävän kantavirran toimiakseen oikein. Suurilla kuormilla $h_{FE}$ (virtavahvistus) laskee, joten ohjausasteen on kyettävä antamaan riittävä virta saturaation saavuttamiseksi.

• Kestävyys: MJE3055T on tunnettu kestävyydestään ja kyvystään sietää tehopulsseja, mikä tekee siitä suositun yleiskäyttöisen tehotransistorin.

Tyypilliset käyttökohteet

• Audiovahvistimet: Lineaariset tehoasteet, joissa tarvitaan 10 A virrankestoa.

• Virtalähteet: Säädettävät DC-virtalähteet ja jännitteen stabilointipiirit.

• DC-moottoriohjaimet: Pienten ja keskikokoisten moottoreiden ohjaus.

• Yleiselektroniikka: Sovellukset, joissa tarvitaan vankkaa kytkintä 60 V jännitteelle ja 10 A virralle.