Tehotransistori NPN 80V 10A 50W 50MHz TO-220 (D44H11)

Korkealaatuinen, erittäin nopealla kytkennällä ja matalalla saturaatiojännitteellä varustettu NPN-tehotransistori vaativiin kytkentä- ja vahvistinkohteisiin.

D44H11 (valmistaja STMicroelectronics / ON Semiconductor) on elektroniikkateollisuudessa laajasti käytetty ja erittäin luotettava NPN-tyyppinen teho-bipolaaritransistori (BJT). Tämä komponentti on suunniteltu erityisesti sovelluksiin, joissa vaaditaan suurta virrankäsittelykykyä sekä nopeaa kytkentätoimintaa. Transistori pystyy käsittelemään jopa 10 ampeerin (A) jatkuvaa keräilijävirtaa (hetkellinen piikkivirta jopa 15 A) ja sen suurin sallittu keräilijä-emitterijännite on 80 volttia (V). Komponentti on pakattu perinteiseen ja järeään kolmenastaan läpiasennettavaan TO-220-muovikoteloon, jonka metallinen taustalevy mahdollistaa tehokkaan lämmönhallinnan.

D44H11-transistorin keskeisimpiä etuja ovat sen poikkeuksellisen matala saturaatiojännite (VCE(sat) tyypillisesti vain 0,4 V 8 ampeerin virralla), mikä minimoi tehohäviöt ja vähentää komponentin lämpenemistä kuormituksessa. Lisäksi sen korkea 50 megahertsin (MHz) siirtotaajuus (Gain Bandwidth Product) tekee siitä huomattavasti nopeamman kuin monet muut perinteiset tehotransistorit. Tämä mahdollistaa erinomaisen hyötysuhteen hakkurivirtalähteissä ja takaa puhtaan, säröttömän signaalinvahvistuksen high-fidelity-äänentoistojärjestelmissä. Se muodostaa täydellisen komplementaarisen parin PNP-tyyppisen D45H11-transistorin kanssa.

Tärkeimmät ominaisuudet:

• Suuri 10A virrankesto: Soveltuu tehokkaaseen tehonohjaukseen ja pystyy syöttämään virtaa vaativillekin teollisuuskuormille.

• Erittäin matala saturaatiojännite: Pienentää sisäistä tehohäviötä kytkinkäytössä, mikä parantaa laitteiston kokonaishyötysuhdetta ja vähentää jäähdytystarvetta.

• Korkea 50 MHz taajuusvaste: Mahdollistaa nopean kytkennän DC/DC-muuntimissa ja laajan kaistanleveyden lineaarisissa audiovahvistimissa.

• Komplementaarinen pari saatavilla: Suunniteltu toimimaan saumattomasti yhdessä PNP-tyyppisen D45H11-transistorin kanssa push-pull-asteissa.

• Järeä TO-220-kotelointi: Helppo asentaa piirilevylle (THT) ja kiinnittää ruuvilla erilliseen jäähdytyselementtiin tai laiterunkoon.

Tekniset tiedot:

• Tilauskoodi / Tuotekoodi: D44H11

• Tuotetyyppi: NPN-tehobipolaaritransistori (NPN Power Transistor)

• Kotelotyyppi: TO-220 (3-pin, THT läpiasennus)

• Keräilijä-emitterijännite (VCEO): Max. 80 V DC

• Keräilijä-kantajännite (VCBO): Max. 80 V DC

• Emitteri-kantajännite (VEBO): Max. 5 V DC

• Jatkuva keräilijävirta (IC): Max. 10 A (Hetkellinen piikki 15 A)

• Kokonaisosallistumisteho (PD): Max. 50 W (kun kotelon lämpötila TC = 25 °C)

• Saturaatiojännite (VCE(sat)): Max. 1,0 V (kun IC = 8 A, IB = 0,4 A)

• Tasavirran vahvistuskerroin (hFE): Min. 40 / Max. 160 (kun IC = 2 A, VCE = 1 V)

• Siirtotaajuus (fT): Tyypillisesti 50 MHz

• Käyttölämpötila-alue: -55 °C ... +150 °C

• Valmistaja: STMicroelectronics / ON Semiconductor (valmistaja voi vaihdella erän mukaan)

Tyypilliset käyttökohteet:

• Hakkurivirtalähteet (SMPS), DC/DC-muuntimet ja jännitteensäätimet tehonsyötössä

• Suuren tehon AB-luokan ja B-luokan audio-päätevahvistimet hifi- ja ammattikäyttöön (parina D45H11:n kanssa)

• Moottorinohjauskytkennät, sähkömagneettisten releiden ja muiden induktiivisten kuormien ohjaus teollisuusautomaatiossa

• Solenoidien, tehokkaiden LED-valaistusryhmien ja muiden sähköisten toimilaitteiden nopeat puolijohdekytkimet

• Elektroniikkahuollot, tuotekehityslaboratoriot, oppilaitokset ja vioittuneiden TO-220-tehotransistoreiden korvaaminen suorituskykyisellä standardiosalla

Vinkki asennukseen ja suunnitteluun: TO-220-kotelon nastajärjestys edestä katsottuna (vasemmalta oikealle) on: Nasta 1 = Kanta (Base), Nasta 2 = Keräilijä (Collector) ja Nasta 3 = Emitteri (Emitter). Kotelon metallinen taustakorvake on sisäisesti kytketty keskimmäiseen nastaan (Keräilijä). Kun transistoria käytetään suurilla virroilla ja tehoilla, se on ehdottomasti kiinnitettävä riittävän kokoiseen jäähdytyselementtiin. Mikäli jäähdytyslevy maadoitetaan tai sille asennetaan useampia komponentteja, muista käyttää transistorin ja jäähdytyslevyn välissä kiille- tai silikonieristyslevyä sekä eristävää nysää kiinnitysruuvissa oikosulkujen välttämiseksi.