NPN-transistori 80V, 1A, 1.3W, 50MHz SOT-89 (BCX56-16)
BCX56-16 on yleiskäyttöinen NPN-tyyppinen bipolaaritransistori, joka on suunniteltu erityisesti keskitason tehoa vaativiin kytkentöihin. Se on suosittu ja luotettava valinta tehoasteissa, virranvahvistimissa sekä yleisissä kytkentätehtävissä sulautetuissa järjestelmissä.
Tämä transistori tarjoaa erinomaisen 80 voltin jännitteenkeston ja 1 ampeerin virrankeston. SOT-89-pintaliitoskotelointi (SMD) on suunniteltu siirtämään lämpöä tehokkaasti piirilevylle, mikä mahdollistaa jopa 1.3 watin tehohäviön oikein suunnitellussa asennusympäristössä.
BCX56-16 on PNP-pari BCX53-16-transistorille. "-16"-pääte viittaa tarkasti määriteltyyn virranvahvistuskertoimeen (hFE), mikä takaa tasaisen suorituskyvyn ja helpottaa suunnittelua erityisesti push-pull-kytkennöissä.
Tärkeimmät ominaisuudet:
NPN-rakenne: Soveltuu erinomaisesti "low-side" -kytkentöihin ja yleisiin vahvistintehtäviin.
Hyvä jännite- ja virrankesto: 80 V (VCEO) ja 1 A jatkuva kollektorivirta.
Tehonkesto: Jopa 1.3 W (vaatii asianmukaisen kuparialueen piirilevyllä lämmönpoistoon).
Kytkentätaajuus: 50 MHz siirtotaajuus tekee siitä käyttökelpoisen myös nopeammissa sovelluksissa.
SOT-89-kotelo: Kompakti SMD-komponentti, joka on optimoitu lämmönhallintaan.
Tekniset tiedot:
Tilauskoodi / Tuotekoodi: BCX56-16
Tuotetyyppi: NPN-bipolaaritransistori
Kotelotyyppi: SOT-89 (SMD, pintaliitos)
Jännitteenkesto (VCEO): 80 V
Virrankesto (IC): 1 A
Valmistaja: Useita valmistajia (esim. Infineon, NXP, ON Semiconductor)
Tyypilliset käyttökohteet:
Releiden, pienten moottorien ja LED-valojen kytkentä
Jännitteensäätimien tehoasteet
Signaalin vahvistus äänentoistossa tai mittauslaitteissa
Yleiskäyttöiset kytkentätehtävät ja logiikkaporttien vahvistus
Vinkki asennukseen ja suunnitteluun: SOT-89-kotelon keskimmäinen nasta (kollektori) toimii myös lämmönjohtimena. Jotta hyödynnät transistorin täyden tehonkeston (1.3 W), suunnittele piirilevylle mahdollisimman suuri kuparialue kollektorin nastaan – tämä toimii käytännössä jäähdytyselementtinä. Varmista aina, että transistorin läpi kulkeva tehohäviö (P = Vce * Ic) pysyy komponentin sallituissa rajoissa, varsinkin jos transistoria käytetään jatkuvasti korkeilla virroilla.
