P-kanavainen teho-MOSFET 100 V 1 A 1,3 W HVMDIP (IRFD9120)

IRFD9120 on P-kanavainen teho-MOSFET, joka on koteloitu 4-jalkaiseen DIP-koteloon (tunnetaan myös nimellä HVMDIP). Se on tarkoitettu erityisesti piirilevysovelluksiin, joissa tarvitaan kompaktia kokoa ja korkeampaa jännitekestoa pienten signaalien tai kuormien kytkentään.

Keskeiset tekniset arvot

• Drain-Source-jännite (VDS): 100 V

• Jatkuva Drain-virta (ID): 1 A

• Tehohäviö: 1,3 W

• Drain-Source-vastus (RDS(on)): 0,6 ohmia

• Kotelointi: HVMDIP (DIP-4)

Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa

• Kotelointi: DIP-4-kotelo on suunniteltu piirilevyasennukseen. Koska komponentti on pienikokoinen, 1,3 W tehohäviö vaatii hyvän lämmönpoiston piirilevyn kuparipintojen kautta. Vältä pitkäaikaista käyttöä maksimitehoilla ilman riittävää jäähdytystä.

• P-kanavainen ohjaus: P-kanavaisena MOSFETina tämä komponentti kytkeytyy päälle, kun sen hila (Gate) vedetään matalampaan potentiaaliin kuin sen lähde (Source). Tämä tekee siitä helpon valinnan High-Side-kytkimeksi, jossa kuorma on kytketty transistorin ja maan väliin.

• Hilaohjaus: Tarkista "Gate Threshold Voltage" -arvo datalehdestä varmistaaksesi, että ohjausjännitteesi on riittävä avaamaan komponentin täysin. Alhainen ohjausjännite johtaa korkeampaan vastukseen ja siten suurempaan lämpenemiseen.

• Induktiiviset kuormat: Jos ohjaat releitä tai solenoidia, muista asentaa vapaakäyntidiodi suojaamaan MOSFETia jännitepiikeiltä.

Tyypilliset käyttökohteet

• Pienet High-Side-kytkimet: Käyttö laitteissa, joissa halutaan ohjata virran syöttöä kuormalle turvallisesti.

• Tasonmuunnos: Käyttö tilanteissa, joissa pitää sovittaa pienjänniteohjaus (esim. 5 V logiikka) korkeampaan käyttöjännitteeseen (esim. 24 V tai 48 V).

• Harraste-elektroniikka: Kompakti ratkaisu mikro-ohjainpohjaisiin projekteihin, joissa tilaa on rajoitetusti.

• Analogiset kytkimet: Soveltuu korkeamman jännitteen signaalien kytkemiseen audiopiireissä tai mittauslaitteissa.