P-kanavainen teho-MOSFET 55 V 18 A 57 W D-PAK (IRFR5505)
IRFR5505 on P-kanavainen teho-MOSFET, joka on koteloitu pinta-asennettavaan D-PAK-koteloon. Se soveltuu erinomaisesti sovelluksiin, joissa tarvitaan luotettavaa "High-Side"-kytkentää, ja sen pieni koko yhdistettynä kohtuulliseen tehonkestoon tekee siitä suositun valinnan moniin tehoelektroniikan sovelluksiin.
Keskeiset tekniset arvot
Drain-Source-jännite (VDS): 55 V
Jatkuva Drain-virta (ID): 18 A
Tehohäviö: 57 W
Drain-Source-vastus (RDS(on)): 0,20 ohmia
Kotelointi: D-PAK (TO-252)
Tärkeää huomioitavaa suunnittelussa
High-Side-kytkentä: P-kanavaisena MOSFETina tämä komponentti on luonnollinen valinta High-Side-kytkimeksi. Se kytkeytyy päälle, kun hila (Gate) vedetään maapotentiaaliin suhteessa lähdejännitteeseen (Source).
Lämmönhallinta: Vaikka 57 W on maksimitehohäviö, se vaatii riittävän kuparipinta-alan piirilevyllä toimiakseen oikein. D-PAK-kotelossa keskimmäinen pinni (Drain) on kytketty jäähdytyslevyyn; käytä piirilevyn kuparointia jäähdytyselementtinä.
Hilaohjaus: Vaikka MOSFETit ohjautuvat jännitteellä, suurilla taajuuksilla kytkettäessä on huomioitava hilakapasitanssi. Käytä tarvittaessa sopivaa ohjainpiiriä, jotta kytkentä tapahtuu mahdollisimman nopeasti.
Jännitekesto: 55 V jännitekesto antaa mukavasti pelivaraa 12 V ja 24 V DC-järjestelmiin, mutta huomioi aina kuorman aiheuttamat induktiiviset jännitepiikit.
Tyypilliset käyttökohteet
DC-moottorien ohjaus: P-kanavaisuuden ansiosta helppo käyttää yksinkertaisissa High-Side-nopeudensäätimissä.
Tehon jakelu: Käyttö virranjakopiireissä (power distribution) kuormien päälle- ja poiskytkentään.
Akun hallintapiirit: Suojauskytkimet ja latauksen ohjaus.
DC-DC-muuntimet: Kompakti ratkaisu pienten ja keskisuurten teholuokkien hakkurivirtalähteisiin.
Onko sinulla mielessä jokin tietty projekti, johon suunnittelet näiden komponenttien käyttöä, tai haluaisitko vertailua jonkin toisen mallin kanssa?
